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| 第三代电子器件—真空FET的现状 | |
| 引用本文： | 苏世民.第三代电子器件—真空FET的现状[J].半导体技术,1993(3):1-12. |
| 作者姓名： | 苏世民 |
| 作者单位： | 电子部第13研究所 石家庄050051 |
| 摘 要： | 概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中. |
| 关 键 词： | 真空电子器件 真空FET 第三代 |
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