| 平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制 |
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| 引用本文： | 张万昌,何高魁,黄小健,乌如恭桑,孙亮.平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制[J].核电子学与探测技术,2009,29(1). |
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| 作者姓名： | 张万昌 何高魁 黄小健 乌如恭桑 孙亮 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学研究院,北京,102413 |
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| 摘 要： | 叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法.为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术.文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9keV X射线的能谱响应测量结果.
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| 关 键 词： | 平面工艺技术 Si-PIN探测器 能量分辨率 |
Development of Low Energy X-ray Si-PIN Detectors Based on Planar technology |
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| ZHANG Wan-chang,HE Gao-kui,HUANG Xiao-jian,WURU Gong-sang,SUN Liang.Development of Low Energy X-ray Si-PIN Detectors Based on Planar technology[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2009,29(1). |
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| Authors: | ZHANG Wan-chang HE Gao-kui HUANG Xiao-jian WURU Gong-sang SUN Liang |
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