| GaAs器件的离子注入新技术研究 |
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| 引用本文： | 商作起,徐嘉东.GaAs器件的离子注入新技术研究[J].微细加工技术,1991(3):29-32,37. |
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| 作者姓名： | 商作起 徐嘉东 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083 |
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| 摘 要： | 本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。
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| 关 键 词： | GaAs器件 离子注入 半导体器件 |
STUDIES ON NEW ION IMPLANTATION TECHNOLOGIES APPLIED TO GaAs DEVICES |
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| Shang Zhuaoqi,Xu Jiadong,Yang Zhankun,Li Jianming - and Wang Peida..STUDIES ON NEW ION IMPLANTATION TECHNOLOGIES APPLIED TO GaAs DEVICES[J].Microfabrication Technology,1991(3):29-32,37. |
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| Authors: | Shang Zhuaoqi Xu Jiadong Yang Zhankun Li Jianming - and Wang Peida |
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| Abstract: | Ion implantation with double tilting angles, large tilting angle,and double crossed directions is introduced. Si+ implantation with BF+ contamination and its key action on high grade GaAs devices is also introduced. |
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| Keywords: | Ion implantation Double tilting angles Large tilting angle Double crossed directions Contamination GaAs devices |
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