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| 4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究 | |
| 引用本文： | 毛开礼,王英民,李斌,赵高扬. 4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究[J]. 电子工艺技术, 2015, 0(4) |
| 作者姓名： | 毛开礼 王英民 李斌 赵高扬 |
| 作者单位： | 1. 西安理工大学材料科学与工程学院，陕西 西安 710048; 中国电子科技集团公司第二研究所，山西 太原 030024 2. 中国电子科技集团公司第二研究所,山西 太原,030024 3. 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西 西安,710048 |
| 基金项目： | 国家国际科技合作专项项目(项目编号2013DFR10020)。 |
| 摘 要： | 高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物，研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于SiC外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数，采用原位HCl刻蚀工艺，获得了SiC单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺，外延层表面平滑，表面粗糙度仅0.218 nm，晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。 |
| 关 键 词： | 同质外延 氯化氢 快速外延 |
Fast Epitaxial Growth Process on 4 Degree Off-cut 4H-SiC Wafers |
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| MAO Kai-li,WANG Ying-min,LI Bin,ZHAO Gao-yang. Fast Epitaxial Growth Process on 4 Degree Off-cut 4H-SiC Wafers[J]. Electronics Process Technology, 2015, 0(4) | |
| Authors: | MAO Kai-li WANG Ying-min LI Bin ZHAO Gao-yang |
| Abstract: | |
| Keywords: | Homoepitaxial HCl Fast growth rate |
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