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| SEM中用表面电子束激励势法研究半导体特性 | |
| 引用本文： | 朱世秋,РАУ Э.И,胡问国.SEM中用表面电子束激励势法研究半导体特性[J].电子显微学报,2000,19(4):577-578. |
| 作者姓名： | 朱世秋 РАУ Э.И 胡问国 |
| 作者单位： | 1. 云南大学;莫斯科大学 2. 莫斯科大学 3. 云南大学 |
| 基金项目： | 国家科学技术部和国家自然科学基金委员会资助研究项目 |
| 摘 要： | 本文考虑用一种新的非接触法来研究和测量半导体晶体微区特性的方法,这种方法是基于扫描电镜中控测半导体的表面电子束激励电势(SEBIV)法来研究半导体的电物现特性和测量半导体电物现参数。本文讨论了一种测量半导体晶体的非平衡载流子的扩散长度L和寿命τ的方法。本文还讨论了用本方法可观测到的表面电子束激励电势图像衬度的形成和它与扫描方向、半导体材料的物理特性和表面激励电势极性的关系。SEBIV法是一种非接触而且非常有效的观测和研究半导体晶体中活性非平衡载流子电特性的方法,这种方法有下列特点:1测量时不需要与样品直接接… |
| 关 键 词： | SEM 表面电子束激励势法 半导体特性 |
Semiconductor by the electron beam on the surface inducing voltage in SEM |
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| ZHU Shi-qiu,Rau E.I,HU Wen-guo.Semiconductor by the electron beam on the surface inducing voltage in SEM[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2000,19(4):577-578. | |
| Authors: | ZHU Shi-qiu Rau EI HU Wen-guo |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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