| 300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响 |
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| 引用本文： | 韩海建,周旗钢,戴小林. 300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响[J]. 稀有金属, 2009, 33(2) |
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| 作者姓名： | 韩海建 周旗钢 戴小林 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为.从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验.实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加.这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大.
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| 关 键 词： | 掺氮 氧化诱生层错(OSF) 直拉单晶硅 |
Effects of Nitrogen on Oxidation-Induced Stacking Faults in 300 mm CZ Silicon |
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| Han Haijian,Zhou Qigang,Dai Xiaolin. Effects of Nitrogen on Oxidation-Induced Stacking Faults in 300 mm CZ Silicon[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2009, 33(2) |
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| Authors: | Han Haijian Zhou Qigang Dai Xiaolin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 300mm |
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