| 宽带GaAs三栅MESFET开关模型 |
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| 引用本文： | 陈新宇,陈继义,郝西萍,洪倩,蒋幼泉,李拂晓,陈效建.宽带GaAs三栅MESFET开关模型[J].半导体学报,2002,23(8):852-854. |
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| 作者姓名： | 陈新宇 陈继义 郝西萍 洪倩 蒋幼泉 李拂晓 陈效建 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好.
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| 关 键 词： | 开关 模型 宽带 三栅MESFET |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)08-0852-03 |
| 修稿时间： | 2001年11月1日 |
Broadband Model of GaAs Triple Gates MESFET |
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| Chen Xinyu,Chen Jiyi,Hao Xiping,Hong Qian,Jiang Youquan,Li Fuxiao and Chen Xiaojian.Broadband Model of GaAs Triple Gates MESFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(8):852-854. |
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| Authors: | Chen Xinyu Chen Jiyi Hao Xiping Hong Qian Jiang Youquan Li Fuxiao and Chen Xiaojian |
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| Abstract: | A model of switch using GaAs triple-gates MESFET is described.Based on the structure of the triple gates MESFET and the effect of the gate to RF transmitting,the model is suitable for MMIC design with broad frequency characteristic.The simulation and measurement results are in excellent agreement with each other. |
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| Keywords: | switch model broadband triple gates MESFET |
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