| 基于GaAs HBT的J类射频功率放大器 |
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| 引用本文： | 黄继伟,黄思巍. 基于GaAs HBT的J类射频功率放大器[J]. 微电子学, 2020, 50(5): 632-636, 642 |
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| 作者姓名： | 黄继伟 黄思巍 |
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| 作者单位： | 福州大学 福建省集成电路设计中心,福州 350108 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(61774035) |
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| 摘 要： | 基于2 μm GaAs HBT工艺,设计了一种工作于1.8~2.0 GHz的射频功率放大器。该功率放大器采用两级放大结构,功率级选用具有良好线性度和效率的J类功率放大器。输出匹配电路采用电容电感组成的两级网络来实现低Q值匹配,拓宽了宽带性能。在驱动级输入端偏置处添加模拟预失真,进一步改善了幅相特性。电源电压为3.3 V,偏置电压为3.4 V。采用ADS软件对该功率放大器进行仿真。结果表明,在1.8~2.0 GHz频率范围内,饱和功率为30.2 dBm,1 dB压缩点输出功率为29.5 dBm,小信号功率增益为32 dB,功率附加效率高于46%。
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| 关 键 词： | J类放大电路 低Q值两级匹配 模拟预失真 射频功率放大器 |
| 收稿时间： | 2019-11-16 |
A Class-J RF Power Amplifier Based on GaAs HBT |
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| HUANG Jiwei,HUANG Siwei. A Class-J RF Power Amplifier Based on GaAs HBT[J]. Microelectronics, 2020, 50(5): 632-636, 642 |
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| Authors: | HUANG Jiwei HUANG Siwei |
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| Affiliation: | Fujian Integrated Circuit Design Center,Fuzhou University, Fuzhou 350108, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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