| Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜的结构与气敏性能 |
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| 引用本文： | 王磊,杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华.Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜的结构与气敏性能[J].传感技术学报,2006,19(5):2084-2087. |
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| 作者姓名： | 王磊 杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京,100088 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术制备Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜.研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响,进而测试了相关的气敏性能.实验证明,经过氧化性退火处理,集成薄膜中的SiO2层厚度从3 nm增长到50 nm左右,形成Pd/SnO2/SiO2/Si结构,SnO2薄膜形成金红石结构的多孔柱状晶.气敏测试表明,Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜在低温区对H2、CH4、CO和C2 H5OH敏感性较高,另外,随着H2气体浓度的增加,相应灵敏度从35递增至73.5.
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| 关 键 词： | SnO2 Pd 薄膜 溅射 气体敏感 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-2084-04 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
Gas-Sensing Properties and Structure of Pd/SnO2/SiO2/Si Integrated Thin Films |
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| Wang lei,Du jun,Mao chang-hui,Yang zhi-min,Xiong yu-hua.Gas-Sensing Properties and Structure of Pd/SnO2/SiO2/Si Integrated Thin Films[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):2084-2087. |
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| Authors: | Wang lei Du jun Mao chang-hui Yang zhi-min Xiong yu-hua |
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| Affiliation: | Advanced electronic materials institute, General research institute for nonferrous metals, Beijing, 100088 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnO_2 Pd thin film sputtering gas sensitivity |
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