| 多晶硅薄膜的工艺研究 |
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| 引用本文： | 王军,祁康成,成建波. 多晶硅薄膜的工艺研究[J]. 材料热处理学报, 2004, 25(4): 4-6 |
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| 作者姓名： | 王军 祁康成 成建波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 电子科技大学青年基金 (YF0 50 3) |
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| 摘 要： | ![]()
研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数，对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用X射线衍射仪(xRD)和扫描电镜(SEM)，观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明：退火温度越高，退火时间越长，得到多晶硅薄膜的比例越高，晶粒也相对较大；薄膜在(111)方向上优先结晶，晶粒大小可以达到1μm，与理论值做了比较。
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| 关 键 词： | 多晶硅 薄膜 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 退火 |
| 文章编号： | 1009-6264(2004)04-0004-03 |
| 修稿时间： | 2004-03-29 |
Research on Technology for Polycrystalline Silicon Film |
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| WANG Jun,QI Kang-cheng,CHENG Jian-bo. Research on Technology for Polycrystalline Silicon Film[J]. Transactions of Materials and Heat Treatment, 2004, 25(4): 4-6 |
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| Authors: | WANG Jun QI Kang-cheng CHENG Jian-bo |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | polycrystalline silicon film PECVD annealing |
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