| 硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展 |
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| 引用本文： | 王彩琳, 高勇, 张新,.硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展[J].电子器件,2005,28(4):945-948,957. |
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| 作者姓名： | 王彩琳 高勇 张新 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 摘 要： | 综述了硅直接键合（SDB）技术在绝缘栅双极晶体管（IGBT）、静电感应晶闸管（SITH）及MOS控制可关断晶闸管（MTO）等器件中的新应用，说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上，提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管（IGCT）和集成门极双晶体管（IGDT）的设想，并给出了相应的工艺方案。
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| 关 键 词： | 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管 |
| 文章编号： | 1005-9490（2005）04-0945-04 |
| 收稿时间： | 2005-06-02 |
| 修稿时间： | 2005-06-02 |
Application of Silicon Direct Bonding Technique in New Power Electronic Device |
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| WANG Cai-lin,GAO Yong,ZHANG Xin.Application of Silicon Direct Bonding Technique in New Power Electronic Device[J].Journal of Electron Devices,2005,28(4):945-948,957. |
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| Authors: | WANG Cai-lin GAO Yong ZHANG Xin |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering; Xi an University of Technology; Xi an 710048; China |
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| Abstract: | The paper summarized the new applications of the silicon direct bonding(SDB)technique in the new power electronic devices, such as Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT), Static Induction Thyristor (SITH), MOS Turn-Off Thyristor (MTO), etc. The new methods and ideas of SDB used in the new power electronic devices were also described, and based on which, a concept that Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) and Integrated-Gate Dual Transistor (IGDT) dies made by the SDB technique was presented and their process methods were given. |
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| Keywords: | silicon direct bonding (SDB) power electronic devices integrated gate commutated thyristor (IGCT) integrated-gate dual transistor (IGDT) MOS turn-off thyristor (MTO) |
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