| 利用分子束外延生长高质量应变平衡InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格 |
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| 作者姓名： | 魏国帅 郝瑞亭 郭杰 马晓乐 李晓明 李勇 常发冉 庄玉 王国伟 徐应强 牛智川 王耀 |
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| 作者单位： | 云南师范大学能源与环境科学学院,云南昆明650092;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083;中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026;华南师范大学华南先进光电子研究院,广东省光信息材料与技术重点实验室,电子纸显示技术研究所,国家绿色光电子国际联合研究中心,广东广州510006 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （61774130, 11474248, 61790581, 51973070）, and the Ph.D. Programs Foundation of Ministry of Education of China （20105303120002）, National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology of China （2018YFA0209101）. |
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| 摘 要： | 利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb（无Ga）Ⅱ类超晶格。超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs0.66Sb0.34层。在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷。利用高分辨率x射线衍射（HRXRD）、原子力显微镜（AFM）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）对外延的超晶格进行了表征和分析。结果表明,优化后的样品几乎为零晶格失配,超晶格0级峰半峰宽为39.3 arcsec,表面均方根粗糙度在10 μm×10 μm范围内达到1.72 ?。红外吸收光谱显示50%的截止波长为4.28 μm,PL谱显示InAs/InAs0.66Sb0.34超晶格4.58 μm处有清晰锐利的发光峰。这些结果表明,外延生长的InAs/InAsSb超晶格稳定性和重复性良好,值得进一步的研究。
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| 关 键 词： | InAs/InAsSb 超晶格 分子束外延 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 |
| 收稿时间： | 2020-09-12 |
| 修稿时间： | 2021-09-06 |
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