质子辐照下三结GaAs太阳电池性能衰退分析 |
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引用本文: | 孙洪伟,郝建红,赵强,范杰清,张芳,董志伟.质子辐照下三结GaAs太阳电池性能衰退分析[J].太阳能学报,2023(7):129-134. |
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作者姓名: | 孙洪伟 郝建红 赵强 范杰清 张芳 董志伟 |
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作者单位: | 1. 华北电力大学电气与电子工程学院;2. 北京应用物理与计算数学研究所 |
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摘 要: | 在构建三结GaAs太阳电池模型的基础上,模拟分析不同能量质子辐照下中电池GaAs的性能衰退,对三结GaAs电池在轨服役评估具有重要意义。结合质子与电池靶材发生的相互作用,建立一种将微观损伤机理与宏观电池性能变化相结合的电池辐照损伤评价方法。结果表明,在三结GaAs太阳电池中,40 keV能量的质子辐照对中电池的影响最小;100和150 keV能量的质子辐照主要对中电池基区造成影响,导致电池性能一定程度上的衰退;70 keV能量的质子辐照对于中电池结区的影响最大,从而导致量子效率QE和并联电阻Rsh的变化最为明显。
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关 键 词: | 太阳电池 质子辐照 砷化镓 量子效率 晶格缺陷 |
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