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| a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响 | |
| 引用本文： | 李云飞,王永生,张晓龙,刘宏宇,王刚,邵喜斌,何大伟.a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响[J].液晶与显示,2008,23(5). |
| 作者姓名： | 李云飞 王永生 张晓龙 刘宏宇 王刚 邵喜斌 何大伟 |
| 作者单位： | 1. 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016 2. 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044 3. 吉林大学术计算机科学与技木学院,吉林,长春,130012 4. 京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值. |
| 关 键 词： | 有源驱动 存储电容 充电率 |
Influence of Storage Capacitance on Character of a-Si'H TFT OLED Driving Circuit |
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| LI Yun-fei,WANG Yong-sheng,ZHANG Xiao-long,LIU Hong-yu,WANG Gang,SHAO Xi-bin,HE Da-wei.Influence of Storage Capacitance on Character of a-Si''H TFT OLED Driving Circuit[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2008,23(5). | |
| Authors: | LI Yun-fei WANG Yong-sheng ZHANG Xiao-long LIU Hong-yu WANG Gang SHAO Xi-bin HE Da-wei |
| Abstract: | |
| Keywords: | OLED |
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