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| HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析 | |
| 引用本文： | 朱秋玲,徐静平,邹晓,黎沛涛,李春霞.HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析[J].压电与声光,2007,29(5):583-585. |
| 作者姓名： | 朱秋玲 徐静平 邹晓 黎沛涛 李春霞 |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 2. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;江汉大学机电与建筑工程学院,湖北,武汉430056 3. 香港大学,电机与电子工程系,香港 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;中国香港特别行政区科研资助委员会资助项目 |
| 摘 要： | 采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。 |
| 关 键 词： | 介电常数 界面态密度 |
| 文章编号： | 1004-2474（2007）05-0583-03 |
| 修稿时间： | 2006-07-11 |
Fabrication and Electrical Characteristic Analysis of Ge MOS Capacitor with Novel HfTiO Gate Dielectric |
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| ZHU Qiu-ling,XU Jing-ping,ZOU Xiao,LAI Pei-tao,LI Chun-xia.Fabrication and Electrical Characteristic Analysis of Ge MOS Capacitor with Novel HfTiO Gate Dielectric[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(5):583-585. | |
| Authors: | ZHU Qiu-ling XU Jing-ping ZOU Xiao LAI Pei-tao LI Chun-xia |
| Abstract: | The HfTiO and HfO2 high k gate dielectrics on Ge substrate have been achieved by Reactive co-sputtering method and wet N2 annealing process.The electrical measurement results indicate the increase of permittivity due to the introduction of Ti and the decrease of equivalent oxide thickness,but the interface-state density increases too.Modulating the content of Ti for HfTiO film and surface pretreating will improve the quality of the HfTiO/Ge interface. |
| Keywords: | GeMOS HfTiO HfO2 |
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