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基于电子束探测技术的VLSI路径延时故障测试方法
引用本文:吴齐发,孙义和. 基于电子束探测技术的VLSI路径延时故障测试方法[J]. 微电子学, 1999, 29(6): 402-406
作者姓名:吴齐发  孙义和
作者单位:清华大学,微电子学研究所,北京,100084
基金项目:国家“九五”科技攻关项目!(97-760-02-01),国防科技基金!(98Js03.1.JW0101)资助项目
摘    要:
介绍了将电子束探测(EB-P)技术应用于路径延时故障的测试。首先用EB-P的工作原理和实验结果说明了用EB-P测量路径延时的可行性;随后讨论了一种将EB-P用作测试点的测试点插入技术。

关 键 词:电子束探测 路径延时 故障 VLSI 测试
修稿时间:1999-04-06

VLSI Path Delay Fault Test Method Based on Electron-Beam Probe Technology
WU Qi-fa,SUN Yi-he. VLSI Path Delay Fault Test Method Based on Electron-Beam Probe Technology[J]. Microelectronics, 1999, 29(6): 402-406
Authors:WU Qi-fa  SUN Yi-he
Abstract:
Keywords:Electronic beam probe  Path delay fault  VLSI
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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