| LiTaO3晶片CMP过程工艺参数研究 |
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| 引用本文： | 杜宏伟.LiTaO3晶片CMP过程工艺参数研究[J].组合机床与自动化加工技术,2013(7). |
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| 作者姓名： | 杜宏伟 |
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| 作者单位： | 青岛农业大学机电工程学院,山东青岛,266109 |
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| 摘 要： | 采用不同抛光条件抛光LiTaO3晶片,通过测量其加工表面粗糙度和材料去除率,探讨了化学机械抛光去除机理,分析了抛光垫材料和状态、抛光压力、抛光盘转速等因素对LiTaO3晶片抛光表面质量和材料去除率的影响规律,并获得了LiTaO3晶片CMP加工的有效工艺参数.实验表明,为获得LiTaO3晶片超精密表面,可采用沥青和平绒布抛光垫进行粗抛和精抛,然后采用旧无纺布(抛光垫)进行终抛,获得较大工件去除率和较光滑表面,得到良好的综合抛光效果.在修正环型超精密抛光机上,理想的LiTaO3工艺参数为:抛光压力为7.25 kPa,抛光盘转速为60rpm.
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| 关 键 词： | 钽酸锂晶片 化学机械抛光 工艺参数 |
Research on the Polishing Parameters on CMP Process of LiTaO3 Wafer |
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| DU Hong-wei.Research on the Polishing Parameters on CMP Process of LiTaO3 Wafer[J].Modular Machine Tool & Automatic Manufacturing Technique,2013(7). |
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| Authors: | DU Hong-wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tantalum and lithium wafer chemical mechanical polishing process parameters |
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