| 不同沟道长度MOSFET的热载流子效应 |
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| 引用本文： | 韩德栋,张国强,任迪远,余学锋,郭旗,陆妩. 不同沟道长度MOSFET的热载流子效应[J]. 固体电子学研究与进展, 2002, 22(3): 309-311,317 |
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| 作者姓名： | 韩德栋 张国强 任迪远 余学锋 郭旗 陆妩 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所,830011;中国科学院新疆物理研究所,830011;中国科学院新疆物理研究所,830011;中国科学院新疆物理研究所,830011;中国科学院新疆物理研究所,830011;中国科学院新疆物理研究所,830011 |
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| 摘 要： | 对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象
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| 关 键 词： | 不同沟道长度 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 热载流子效应 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)03-309-03 |
Hot Carrier Effects of MOSFETs with Different Channel Lengths |
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| HAN Dedong ZHANG Guoqiang REN Diyuan YU Xuefeng GUO Qi LU Wu. Hot Carrier Effects of MOSFETs with Different Channel Lengths[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2002, 22(3): 309-311,317 |
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| Authors: | HAN Dedong ZHANG Guoqiang REN Diyuan YU Xuefeng GUO Qi LU Wu |
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| Abstract: | Hot carrier effects of MOSFET with different channel lengths have been investigated. The experimental results have shown that the hot carrier stress makes MOSFET degradation. The degradation is dependent on the channel length. The more server degradation is induced by shorter channel. |
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| Keywords: | different channel lengths MOSFET hot carrier effects |
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