| Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究 |
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| 引用本文： | 吴冲若,樊玉薇. Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究[J]. 真空科学与技术学报, 1993, 0(6) |
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| 作者姓名： | 吴冲若 樊玉薇 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系，东南大学电子工程系 南京 210018，南京 210018 |
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| 摘 要： | ![]()
论述以SiH_4 Ar N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层相比拟的优质Si_3N_4介质膜。在用AES对膜层微观成份分析的基础上,对Si)3N_4膜的三步沉膜机理进行了一些有益探讨。
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| 关 键 词： | 氮化硅膜 电击穿 薄膜沉积 |
ELECTRICAL INSULATION AND BREAKDOWN PROPERTIES OF Si_3N_4 THIN FILM |
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| Wu Chongruo,Fan Yuwei. ELECTRICAL INSULATION AND BREAKDOWN PROPERTIES OF Si_3N_4 THIN FILM[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 1993, 0(6) |
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| Authors: | Wu Chongruo Fan Yuwei |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | Si_3N_4 film Electrical breakdowm Thin film deposition |
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