| V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响 |
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| 引用本文： | 赵鸣,王卫民,张慧君,高峰,田长生.V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(Z2). |
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| 作者姓名： | 赵鸣 王卫民 张慧君 高峰 田长生 |
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| 摘 要： | 基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.
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| 关 键 词： | ZnO-V2O5压敏电阻 二次合成法 低温烧结 |
The Effect of Pre-Synthesized V2O5/Sb2O3 Powder Content on the Characteristics of ZnO-V2O5 Based Varistor Ceramics |
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| Zhao Ming,Wang Weiming,Zhang Huijun,Gao Feng,Tian Changsheng.The Effect of Pre-Synthesized V2O5/Sb2O3 Powder Content on the Characteristics of ZnO-V2O5 Based Varistor Ceramics[J].Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(Z2). |
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| Authors: | Zhao Ming Wang Weiming Zhang Huijun Gao Feng Tian Changsheng |
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