|
|||||
|
|
| 新构思硅红外探测器 | |
| 引用本文： | 王迅,叶令,胡际璜.新构思硅红外探测器[J].半导体学报,1995,16(7):503-508. |
| 作者姓名： | 王迅 叶令 胡际璜 |
| 作者单位： | 复旦大学表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器． |
| 关 键 词： | 红外探测器 硅 超晶格 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |