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10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片
引用本文:雷恺,冯军,王志功. 10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片[J]. 电子器件, 2004, 27(3): 416-418
作者姓名:雷恺  冯军  王志功
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
摘    要:基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽,降低功耗。模拟结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率上,输入单端峰峰值为0.3V的差分信号时,在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1.4V,电路功耗约为85mW。

关 键 词:激光驱动器 CMOS 直接耦合
文章编号:1005-9490(2004)03-0416-03

10 Gb/s 0.18 μm CMOS Laser Diode Driver IC
LEI Kai,FENG Jun,WANG Zhi-gong. 10 Gb/s 0.18 μm CMOS Laser Diode Driver IC[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(3): 416-418
Authors:LEI Kai  FENG Jun  WANG Zhi-gong
Abstract:
Keywords:laser diode driver  CMOS  Direct-coupled  
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