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| 采用第6代IGBT硅片的IGBT模块 | |
| 作者单位： | 三菱电机功率器件福冈制作所,日本,福冈,819-0192 |
| 摘 要： | 从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片.其端子和电路结构具有前所未有的灵活性.在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能.介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2 kv第6代IGBT硅片技术.新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围. |
| 关 键 词： | 模块/绝缘栅双极型晶体管 载流子存储式沟槽型双极型晶体管 |
The IGBT Module with 6th Generation IGBT Chip |
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| Authors: | Taketo Nishiyama Yuji Miyazaki |
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