| SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响 |
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| 引用本文： | 耿新华,刘世国,李洪波,孙云,孙钟林,徐温元.SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响[J].太阳能学报,1995(3). |
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| 作者姓名： | 耿新华 刘世国 李洪波 孙云 孙钟林 徐温元 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子研究所 |
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| 摘 要： | 用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。
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| 关 键 词： | SnO_2／p，接触特性，填充因子 |
THE INFLUENCE OF THE CONTACT CHARACTERISTIC OF SnO_2/P ON THE FILL FACTOR OF SOLAR CELLS |
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| Geng Xinhua,Liu Shiguo,Li Hongbo,Sun Yun,Sun Zhonglin, Xu Wenyuan.THE INFLUENCE OF THE CONTACT CHARACTERISTIC OF SnO_2/P ON THE FILL FACTOR OF SOLAR CELLS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,1995(3). |
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| Authors: | Geng Xinhua Liu Shiguo Li Hongbo Sun Yun Sun Zhonglin Xu Wenyuan |
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| Keywords: | SnO2/P contact characteristic fill factor |
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