| 低能Si~+离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响 |
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| 引用本文： | 吴洪才. 低能Si~+离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度及陷阱电荷的影响[J]. 核技术, 1988, 0(3) |
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| 作者姓名： | 吴洪才 |
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| 作者单位： | 西安交通大学 |
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| 摘 要： | 本文介绍了低能Si~+离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度、立构规整度以及陷阱电荷影响的一些研究结果。实验表明,在能量为55keV,剂量为3×10~(15)/cm~2的条件下对聚丙烯薄膜进行Si~+离子注入,通过TSC和红外光谱分析发现,材料的陷阱电荷得到大幅度下降。其红外结晶度及立构规整度均有明显的下降。因而,材料的短程螺旋结构增多,这些结构的变化将导致其特性发生变化。
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| 关 键 词： | Si~+离子 聚丙烯 |
Influence of low energy Si~+ ion implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film |
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| Wu Hongcai. Influence of low energy Si~+ ion implantation on crystallization and trapped charges of polypropylene thin film[J]. Nuclear Techniques, 1988, 0(3) |
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| Authors: | Wu Hongcai |
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| Affiliation: | Xian Jiaotong University |
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| Keywords: | Si+ ion polypropylene |
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