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CVD法制备高纯钛的工艺优化
引用本文:王睿,唐晓宁,陈肖虎,李纪伟,李名新.CVD法制备高纯钛的工艺优化[J].有色金属(冶炼部分),2014(9):23-25.
作者姓名:王睿  唐晓宁  陈肖虎  李纪伟  李名新
作者单位:贵州大学材料与冶金学院,贵州大学材料与冶金学院,贵州大学材料与冶金学院,贵州大学材料与冶金学院,贵州大学材料与冶金学院
基金项目:“十一五”国家科技支撑计划项目(2008BAE62B02)
摘    要:采用正交试验研究了钛卤盐热裂解法生产高纯钛的工艺条件。结果表明,各因素对产率的影响程度依次为低温区(卤化源区)温度基底截面直径卤化剂用量高温区(热裂解区)温度。优化后的工艺参数为:卤化剂用量600g左右、基底截面直径6mm、低温区和高温区温度分别控制在200~700℃和1 100~1 300℃。在最优条件下获得的产品经电子束熔炼后,纯度可以达到99.998%。

关 键 词:CVD  卤化法  高纯钛  正交试验
收稿时间:2014/4/14 0:00:00
修稿时间:2014/4/17 0:00:00

Process Optimization for Titanium Purification by Chemical Vapor Deposition
Wang-Rui,TANG Xiao-ning,Chen Xiao-hu,Li-Jiwei and LI Ming-xin.Process Optimization for Titanium Purification by Chemical Vapor Deposition[J].Nonferrous Metals(Extractive Metallurgy),2014(9):23-25.
Authors:Wang-Rui  TANG Xiao-ning  Chen Xiao-hu  Li-Jiwei and LI Ming-xin
Affiliation:College of Materials and Metallurgy,Guizhou University
Abstract:
Keywords:CVD  halogenation process  high purity titanium  orthogonal test
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