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| Ba（Zn1/3Nb2/3）O3陶瓷A位K^＋取代对烧结温度的影响 | |
| 作者姓名： | 石锋 孙玮 |
| 作者单位： | [1]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014 [2]山东省专利保护鉴定中心,山东济南250014 |
| 摘 要： | 在Ba（Zn1/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷的A位用K^＋取代Ba^2＋形成固溶体，研究其对于系统烧结温度的影响。研究表明A位K^＋的引入有效改善了系统的烧结特性，使烧结温度下降到1300℃以下。这是由于系统中产生了氧空位造成的，空位的生成增加了系统中的缺陷，促进了离子的相互扩散，从而降低了系统的烧结温度。 |
| 关 键 词： | 微波介质陶瓷 K^＋取代 固溶体 氧空位 烧结温度 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0846-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-12 |
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