| AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 胡宽,顾豪爽,张凯,胡光,吴小鹏,熊娟.AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究[J].功能材料,2007,38(A02):735-737. |
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| 作者姓名： | 胡宽 顾豪爽 张凯 胡光 吴小鹏 熊娟 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室,湖北武汉430062 |
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| 基金项目： | 武汉市科技攻关计划资助项目（20061002073）. |
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| 摘 要： | 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。
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| 关 键 词： | 薄膜腔声谐振器 氮化铝压电薄膜 频率特性 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0735-03 |
| 修稿时间： | 2007-05-17 |
Fabrication and performance analysis of AI N film bulk acoustic resonator |
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| HU Kuan, GU Hao-shuang, ZHANG Kai, HU Guang, WU Xiao-peng, XIONG Juan.Fabrication and performance analysis of AI N film bulk acoustic resonator[J].Journal of Functional Materials,2007,38(A02):735-737. |
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| Authors: | HU Kuan GU Hao-shuang ZHANG Kai HU Guang WU Xiao-peng XIONG Juan |
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| Affiliation: | Faculty of Physics and Electronic Technology and Key Laboratory of Ferroelectric and Piezoelectric Materials and Devices of Hubei Province, Hubei University, Wuhan 430062, China |
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