| 溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响 |
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| 引用本文： | 任雪勇 谢泉 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳. 溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响[J]. 功能材料, 2007, 38(A04): 1519-1521 |
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| 作者姓名： | 任雪勇 谢泉 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州贵阳550025 |
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| 基金项目： | 基金项目：国家自然科学基金资助项目（60566001） |
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| 摘 要： | ![]()
采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了si-ca-si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面（断面）形貌的影响，并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿（111）向择优生长的特性，当溅射功率为120W时，Ca2Si薄膜变的均匀、致密，在400-800nm波长范围内，溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 Ca2Si薄膜 溅射功率 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-1519-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-09 |
Effects of sputtering power on properties of Ca2Si films |
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| REN Xue-yong, XIE Quan, YANG Yin-yie, XIAO Qing-quan, YANG Chuang-hua, ZENG Wu-xian, LIANG Yan. Effects of sputtering power on properties of Ca2Si films[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A04): 1519-1521 |
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| Authors: | REN Xue-yong XIE Quan YANG Yin-yie XIAO Qing-quan YANG Chuang-hua ZENG Wu-xian LIANG Yan |
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| Affiliation: | School of Electronic Science and Information Technology, Guizhou University, Guiyang 550025, China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | radio frequency magnetron sputtering Ca2Si films sputtering power |
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