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脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
引用本文:王毅 王浩 张志鹏 莫琦 冯洁 朱建华 杨辅军 汪汉斌. 脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能[J]. 功能材料, 2007, 38(A02): 670-672
作者姓名:王毅 王浩 张志鹏 莫琦 冯洁 朱建华 杨辅军 汪汉斌
作者单位:[1]湖北大学物理学与电子技术学院,湖北武汉430062 [2]湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉430062
基金项目:湖北省自然科学基金创新群体计划资助项目(2007ABC05).
摘    要:
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为29.3的HfO2薄膜.借助C射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的微观结构,对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明,该方法制得的HfO2薄膜表面光滑,N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0.203nm变为0.498nm,薄膜由非晶转变为简单正交结构,界面层得到有效控制,该栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流密度(4.3×10^-7A/cm^2,@-1V),是SiO2栅介质的理想替代物.

关 键 词:脉冲激光沉积 HfO2薄膜 电学特性
文章编号:1001-9731(2007)增刊-0670-03
修稿时间:2007-04-27

Structure and electric properties of HfO2 films prepared by pulsed laser deposition
WANG Yi, WANG Hao, ZHANG Zhi-peng, MO Qi, FENG Jie, ZHU Jian-hua, YANG Fu-jun, WANG Han-bin. Structure and electric properties of HfO2 films prepared by pulsed laser deposition[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A02): 670-672
Authors:WANG Yi   WANG Hao   ZHANG Zhi-peng   MO Qi   FENG Jie   ZHU Jian-hua   YANG Fu-jun   WANG Han-bin
Affiliation:1.Faculty of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan 430062, China; 2.Faculty of Materials Science and Engineering, Hubei University, Wuhan 430062, China
Abstract:
Keywords:pulsed laser deposition   hafnium dioxide films   electrical properties
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