| 半绝缘InP长单晶的生长 |
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| 引用本文： | 孙聂枫,毛陆虹,郭维廉,周晓龙,杨瑞霞,张伟玉,孙同年.半绝缘InP长单晶的生长[J].半导体学报,2007,28(Z1):186-189. |
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| 作者姓名： | 孙聂枫 毛陆虹 郭维廉 周晓龙 杨瑞霞 张伟玉 孙同年 |
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| 作者单位： | 孙聂枫（天津大学电子信息工程学院,天津,300072;河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051）;毛陆虹（天津大学电子信息工程学院,天津,300072）;郭维廉（天津大学电子信息工程学院,天津,300072）;周晓龙（河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;河北工业大学信息工程学院,天津,300130）;杨瑞霞（河北工业大学信息工程学院,天津,300130）;张伟玉（天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津农学院机电工程系,天津,300384）;孙同年（河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60276008) |
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| 摘 要： | 通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.
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| 关 键 词： | InP 孪晶 直径 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0186-04 |
| 修稿时间： | 2007年1月4日 |
Semi-Insulating Long InP Single Crystal Growth |
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