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| p型超纯硅探测器 | |
| 引用本文： | 尤乃谈,顾桂君,沈维生.p型超纯硅探测器[J].核技术,1983(2). |
| 作者姓名： | 尤乃谈 顾桂君 沈维生 |
| 作者单位： | 中国科学院上海原子核研究所 (尤乃谈，顾桂君)，中国科学院上海原子核研究所(沈维生) |
| 摘 要： | P型硅单晶通常用来制备具有几个毫米厚的Si(Li)探测器,如果象高纯锗一样,硅单晶的纯度足够高,它不需要进行锂漂移就可制成较厚的硅探测器。此种探测器在使用时需冷却,而在保存时可回暖到室温。我们应用浙江大学研制的超纯硅单晶,制成了灵敏面积为50mm~2、厚度为1.73mm的探测器Si(Hp)-82101,在77K下,测得对~(207)Bi1063.4keV跃迁的K内转换电子能量分辨率为1.72keV,这已超过目前用高阻硅和Si(Li)探测器测量所获得的最好分辨率水平1.9keV。 |
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