| Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响 |
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| 引用本文： | 肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉.Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响[J].半导体学报,2005,26(z1):16-19. |
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| 作者姓名： | 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
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| 关 键 词： | InN RF-MBE XRD 生长温度 膜表面形貌 影响 Effect Growth Temperature During Formation Droplet Indium Ratio 选择 发现 外延膜 RFMBE 研究 质量 表面聚集 原子 比较 分解温度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0016-04 |
| 修稿时间： | 2004年9月8日 |
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