| 热退火对多晶硅特性的影响 |
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| 引用本文： | 任丙彦,勾宪芳,马丽芬,励旭东,许颖,王文静.热退火对多晶硅特性的影响[J].半导体学报,2005,26(12):2294-2297. |
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| 作者姓名： | 任丙彦 勾宪芳 马丽芬 励旭东 许颖 王文静 |
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| 作者单位： | 河北工业大学半导体研究所，河北工业大学半导体研究所，河北工业大学半导体研究所，北京太阳能研究所，北京太阳能研究所，北京太阳能研究所 天津300130，天津300130北京太阳能研究所，北京100083，天津300130北京太阳能研究所，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083 |
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| 摘 要： | 为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750～1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有相同氧碳含量的直拉硅片进行同样处理.结果发现:在多晶和单晶片中氧碳含量下降很小,意味着没有氧沉淀产生,晶界对碳行为影响不大.多晶硅片在N2和O2环境下,850、950和1150℃下退火,少子寿命都有很大提高,并且在O2中退火比N2中退火少子寿命上升得更多,可能由于在高温退火时大量杂质扩散到晶界处,减少了复合中心.另外,间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高.
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| 关 键 词： | 多晶硅 氧 寿命 polycrystalline silicon oxygen lifetime 热退火 多晶硅 特性 影响 Polycrystalline Silicon Characteristics Thermal Annealing Interstitial atoms filling vacancies recombination impurities high temperature diffuse annealed Bulk lifetime grain boundaries affect |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）12-2294-04 |
| 收稿时间： | 2004-06-10 |
| 修稿时间： | 2004年6月10日 |
Effect of Thermal Annealing on Characteristics of Polycrystalline Silicon |
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| Ren Bingyan,Gou Xianfang,Ma Lifen,Li Xudong,Xu Ying,Wang Wenjing.Effect of Thermal Annealing on Characteristics of Polycrystalline Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12):2294-2297. |
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| Authors: | Ren Bingyan Gou Xianfang Ma Lifen Li Xudong Xu Ying Wang Wenjing |
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| Affiliation: | 1 Semiconductor Research Institute, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China;2 Beijing Solar Energy Research Institute, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polycrystalline silicon oxygen lifetime |
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