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| 多孔氮化硅/碳化硅复合材料制备的反应机理分析 | |
| 作者姓名： | 张雯 王红洁 金志浩 白玉 |
| 作者单位： | 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室, 西安 710049 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展专项（863）（2004AA649350）. |
| 摘 要： | 为了探索碳热还原法制备多孔氮化硅/碳化硅(Si3N4/SiC)复合陶瓷材料在高温阶段的反应机理,采用固化的酚醛树脂为碳源,通过热解产生具有反应性的碳,使之在1300-1780℃等不同温度下与表面包裹的氮化硅粉反应,氩气为保护气氛.通过对试样的XRD、TEM分析和显微结构观察,结合反应的热力学和动力学结果计算推测,树脂裂解碳与Si3N4反应生成SiC的机理主要为Si3N4分解生成Si(l)与C进一步发生的液-固反应,和Si(l)与反应过程中的中间产物CO(g)之间发生的液-气反应.其他还包括C与Si3N4间直接进行的固-固反应;C与Si3N4表面的SiO2间的气-固反应以及由SiO(g)、Si(g)参与的气-固反应.树脂裂解碳与Si3N4从1400℃左右开始发生反应形成SiC,温度升高对SiC层的生长有促进,保温时间的延长对SiC层的生长厚度影响较大. |
| 关 键 词： | 反应机理 多孔陶瓷 氮化硅 碳化硅 |
| 文章编号： | 1000-324X（2005）05-1215-07 |
| 收稿时间： | 2004-08-06 |
| 修稿时间： | 2004-08-062004-10-29 |
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