| CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 |
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| 引用本文： | 刘新宇,刘运龙,孙海锋,吴德馨,和致经,刘忠立.CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验[J].半导体学报,2002,23(2):213-216. |
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| 作者姓名： | 刘新宇 刘运龙 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029;2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm;在工作电压为3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×105Rad(Si),能较好地满足军用和航天领域的要求.
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| 关 键 词： | CMOS/SOI 4Kb SRAM 抗总剂量辐照 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)02-0213-04 |
| 修稿时间： | 2001年2月15日 |
Characteristics on Total-Dose of Radiation Hardness for CMOS/SOI 4Kb SRAM |
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| Liu Xinyu ,Liu Yunlong ,Sun Haifeng ,Wu Dexin ,He Zhijing and Liu Zhongli.Characteristics on Total-Dose of Radiation Hardness for CMOS/SOI 4Kb SRAM[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(2):213-216. |
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| Authors: | Liu Xinyu Liu Yunlong Sun Haifeng Wu Dexin He Zhijing and Liu Zhongli |
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| Affiliation: | Liu Xinyu 1,Liu Yunlong 1,Sun Haifeng 1,Wu Dexin 1,He Zhijing 2 and Liu Zhongli 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS/SOI 4Kb SRAM total dose radiation hardness |
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