| 薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响 |
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| 引用本文： | 张哲浩,吕建国,江庆军,叶志镇.薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响[J].材料科学与工程学报,2016(3). |
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| 作者姓名： | 张哲浩 吕建国 江庆军 叶志镇 |
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| 作者单位： | 1. 硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州310027;材料科学系,金日成综合大学,平壤朝鲜420216;2. 硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51172204) |
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| 摘 要： | 在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。
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| 关 键 词： | ZnO∶Ga薄膜 应力 基片曲率法 直流磁控溅射 有机衬底 |
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