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| 未来的IC向垂直发展 | |
| 引用本文： | 佳罗,李易. 未来的IC向垂直发展[J]. 电子产品世界, 2005, 0(21): 120-122 |
| 作者姓名： | 佳罗 李易 |
| 摘 要： | 几十年来,半导体制造商年复一年地缩小IC的晶体管尺寸,以达到摩尔定律所描述的不断增加的速度和性能,亦即约18个月芯片性能要翻一番.摩尔定律只有在电路的RC延时与信号传输延时相比可以忽略时成立.然而,对于亚微米来说,RC延时变为主要因素.曾经寄希望于改用铜金属化、低K介电质和化学机械抛光(CMP)来降低RC延时,以及缩小尺寸来达到由摩尔定律预期的未来十年的性能改进. |
3-D Wafer Stacking |
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