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| 一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源 | |
| 作者姓名： | 张吉左 |
| 作者单位： | 湖南人文科技学院物理与信息工程系,湖南娄底,417000 |
| 摘 要： | 在传统带隙基准电压源电路结构的基础上,通过在运放中引入增益提高级,实现了一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比（PSRR）和较低的温度系数。该电路采用SIMC 0.18-μm CMOS工艺实现。利用Cadence/Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在1.8 V电源电压下,-40～125℃范围内,温度系数为9.699 ppm/℃;在27℃下,10 Hz时电源抑制比为90.2 dB,20 kHz时为74.97 dB。 |
| 关 键 词： | 带隙基准 CMOS 电源抑制比 温度系数 |
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