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PIN 限幅器微波脉冲效应数值模拟
作者姓名:赵振国  马弘舸王艳
作者单位:1 中国工程物理研究院 应用电子研究所 高功率微波重点实验室,绵阳 621900; 2 中国工程物理研究院 研究生部 ,北京 100088
摘    要:分析微波脉冲作用下PIN 器件效应机理,基于半导体物理方程,热传导模型研究PIN 器件物理模型。基于大功 率微波脉冲作用下的器件高温强场特性的,选择Sentaurus-TCAD 软件中的相关物理模型,建立器件多物理模型-电路的 联合仿真模型;开展验证性实验结果与仿真结果在大于30dBm 的功率注入时比较吻合,证明仿真中使用的物理模型适用 于PIN 限幅器大功率微波脉冲效应机理分析。

关 键 词:PIN 限幅器   微波效应  效应机理   Sentaurus-TCAD
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