PIN 限幅器微波脉冲效应数值模拟 |
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作者姓名: | 赵振国 马弘舸王艳 |
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作者单位: | 1 中国工程物理研究院 应用电子研究所 高功率微波重点实验室,绵阳 621900;
2 中国工程物理研究院 研究生部 ,北京 100088 |
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摘 要: | 分析微波脉冲作用下PIN 器件效应机理,基于半导体物理方程,热传导模型研究PIN 器件物理模型。基于大功
率微波脉冲作用下的器件高温强场特性的,选择Sentaurus-TCAD 软件中的相关物理模型,建立器件多物理模型-电路的
联合仿真模型;开展验证性实验结果与仿真结果在大于30dBm 的功率注入时比较吻合,证明仿真中使用的物理模型适用
于PIN 限幅器大功率微波脉冲效应机理分析。
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关 键 词: | PIN 限幅器 微波效应 效应机理 Sentaurus-TCAD |
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