| P-nc-si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用 |
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| 引用本文： | 朱锋,赵颖,张晓丹,魏长春,孙建,任慧智,熊绍珍,耿新华.P-nc-si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用[J].光电子．激光,2004,15(4):381-384. |
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| 作者姓名： | 朱锋 赵颖 张晓丹 魏长春 孙建 任慧智 熊绍珍 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件研究所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家科技部重大基础研究资助项目(2000028213,2000028202)，教育部科学学技术研究重大资助项目(02167) |
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| 摘 要： | 对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ=0.7S/cm,Eopt>2.0eV)。将这种材料应用于微晶硅(μc Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p nc Si:H/I μC Si:H/n Si:H。首次获得效率η=4.2%的μC Si薄膜太阳能电池(Voc=0.399V,Jsc=20.56mA/cm2,FF=51.6%)。
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| 关 键 词： | RF-PECVD VHF-PECVD 纳米 微晶硅(μC-Si) 太阳能电池 |
| 文章编号： | 1005-0086(2004)04-0381-04 |
P-nc-Si:H Film Materials and its Application in Microcrystalline Silicon Solar Cells |
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| ZHU Feng.P-nc-Si:H Film Materials and its Application in Microcrystalline Silicon Solar Cells[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(4):381-384. |
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| Authors: | ZHU Feng |
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| Keywords: | |
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