| Cu／SiO2/Si（100）体系中Cu和Si的扩散和界面反应 |
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| 引用本文： | 曹博,包良满,李公平,何山虎.Cu／SiO2/Si（100）体系中Cu和Si的扩散和界面反应[J].真空与低温,2006,12(3):137-141. |
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| 作者姓名： | 曹博 包良满 李公平 何山虎 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理科学与技术学院现代物理系,甘肃,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜.采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiO3/Si(100)体系的扩散和界面反应.RBS分析得出对于Cu/SiO2/Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成.这比已有文献报道的温度低.
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| 关 键 词： | 薄膜 扩散 界面反应 硅化物 |
| 文章编号： | 1006-7086(2006)03-0137-05 |
| 修稿时间： | 2006年2月20日 |
THE DIFFUSION AND INTERFACE OF Cu AND Si IN Cu/SiO2/Si(100) SYSTEMS |
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| CAO Bo,BAO Liang-man,LI Gong-ping,HE Shan-hu.THE DIFFUSION AND INTERFACE OF Cu AND Si IN Cu/SiO2/Si(100) SYSTEMS[J].Vacuum and Cryogenics,2006,12(3):137-141. |
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| Authors: | CAO Bo BAO Liang-man LI Gong-ping HE Shan-hu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film diffusion Interface reaction silicides |
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