| LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 李忠辉,王向武,张宝顺,杨进华,张兴德. LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(3): 232-235 |
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| 作者姓名： | 李忠辉 王向武 张宝顺 杨进华 张兴德 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;信息产业部电子第五十五所新材料中心,南京,210016 |
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| 摘 要： | 设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55％～78％,中心发射波长为(808±3)nm。
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| 关 键 词： | 分别限制结构 单量子阱 激光器 |
| 修稿时间： | : |
High power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers grown by LP- MOCVD |
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| LI Zhong-hui,WU Gen-zhu,ZHANG Bao-shun,YANG Jin-hua,ZHANG Xing-de. High power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers grown by LP- MOCVD[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(3): 232-235 |
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| Authors: | LI Zhong-hui WU Gen-zhu ZHANG Bao-shun YANG Jin-hua ZHANG Xing-de |
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