| 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件 |
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| 引用本文： | 陈晓娟,刘新宇,和致经,刘键,邵刚,魏珂,吴德馨,王晓亮,周钧铭,陈宏.采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J].电子器件,2005,28(3):479-481. |
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| 作者姓名： | 陈晓娟 刘新宇 和致经 刘键 邵刚 魏珂 吴德馨 王晓亮 周钧铭 陈宏 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院半导体所,北京,100083;中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 为了进一步减小栅漏电，提高击穿电压，将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中，研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层，新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm，栅宽80μm，测得最大饱和输出电流为784mA／mm，最大跨导为44．25ms／mm，最高栅偏压＋6V。
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| 关 键 词： | AlGaN GaN SiO2 MOS—HFET |
| 文章编号： | 1005-9490（2005）03-0479-03 |
| 收稿时间： | 2005-01-11 |
| 修稿时间： | 2005-01-11 |
PECVD SiO2 Layers on AlGaN/GaN Mental Oxide Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor |
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| CHEN Xiao-juan,LIU Xin-yu,HE Zhi-jing,LIU Jian,SHAO Gang,Wei KE,WU De-xin,WANG Xiao-liang,ZHOU Jun-Ming,CHEN Hong.PECVD SiO2 Layers on AlGaN/GaN Mental Oxide Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor[J].Journal of Electron Devices,2005,28(3):479-481. |
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| Authors: | CHEN Xiao-juan LIU Xin-yu HE Zhi-jing LIU Jian SHAO Gang Wei KE WU De-xin WANG Xiao-liang ZHOU Jun-Ming CHEN Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN GaN SiO2 MOS-HFET |
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