| AlGaInP高亮度发光二极管 |
| |
| 引用本文： | 李玉璋,王国宏,马骁宇,曹青,王树堂,陈良惠.AlGaInP高亮度发光二极管[J].液晶与显示,1999,14(2):110-114. |
| |
| 作者姓名： | 李玉璋 王国宏 马骁宇 曹青 王树堂 陈良惠 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083 |
| |
| 摘 要： | 分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率，而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管，发光波长峰值在６０５ｎｍ，ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ，２０ｍＡ工作电流下，５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ，最大３０ｍｃｄ，平均工作电压１．９Ｖ，透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。
|
| 关 键 词： | AlGaInP 发光二极管 低压有机金属气相外延 |
| 修稿时间： | 1999-03-19 |
High Brightness AlGaInP Orange Light Emitting Didoes |
| |
| Li Yuzhang,Wang Guohong,Ma Xiaoyu,Cao Qing,Wang Shutang,Chen Lianghui.High Brightness AlGaInP Orange Light Emitting Didoes[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,1999,14(2):110-114. |
| |
| Authors: | Li Yuzhang Wang Guohong Ma Xiaoyu Cao Qing Wang Shutang Chen Lianghui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AlGaInP light emitting diode LP MOCVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
