| 基于深隔离槽刻蚀的高压发光二极管制造 |
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| 引用本文： | 丁艳,郭伟玲,朱彦旭,刘莹,刘建朋,闫薇薇.基于深隔离槽刻蚀的高压发光二极管制造[J].半导体学报,2012,33(9):094007-4. |
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| 作者姓名： | 丁艳 郭伟玲 朱彦旭 刘莹 刘建朋 闫薇薇 |
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| 基金项目： | 863 program（No：2009AA03A1A3）; National Key Technologies R&D Program（No：2011BAE01B14） |
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| 摘 要： | 在制作高压发光二极管(HV LED)时,为了将数个独立的LED 串联起来,需要将GaN进行电感耦合等离子(ICP)深隔离刻蚀。本文制作了隔离槽深度为5um,台面侧壁为79.2?的GaN基HV LED。刻蚀表面和结构侧面的形貌通过激光显微镜和扫描电子显微镜进行观察分析。在形成金属接触并退火之后,测量HV LED输入电流-正向电压曲线,分析了其电学特性。与传统LED相比,I-V曲线趋势一致；相同尺寸和发光面积下,接触电阻下降了4.6Ω,而输出功率提高了5W。结果表明,可以应用于实际生产
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| 关 键 词： | 发光二极管 高电压 槽结构 电感耦合等离子体 扫描电子显微镜 制作 实际制造 激光显微镜 |
| 收稿时间： | 2/28/2012 9:35:26 PM |
| 修稿时间： | 3/18/2012 7:43:08 PM |
Fabrication of high-voltage light emitting diodes with a deep isolation groove structure |
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| Ding Yan,Guo Weiling,Zhu Yanxu,Liu Ying,Liu Jianpeng and Yan Weiwei.Fabrication of high-voltage light emitting diodes with a deep isolation groove structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(9):094007-4. |
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| Authors: | Ding Yan Guo Weiling Zhu Yanxu Liu Ying Liu Jianpeng and Yan Weiwei |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of the Ministry of Education, Beijing University of Technology,Beijing 100124, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | inductively coupled plasma high-voltage light emitting diodes GaN deep etching |
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