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| 用于SPICE-Ⅱ程序的耗尽型MOS器件模型 | |
| 引用本文： | 魏同立 ,何野.用于SPICE-Ⅱ程序的耗尽型MOS器件模型[J].电子器件,1987(1). |
| 作者姓名： | 魏同立 何野 |
| 摘 要： | 分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱和区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法.模拟结果与实验基本吻合. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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