掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺 |
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引用本文: | 张奇,武艳青,刘浩,商庆杰,宋洁晶.掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺[J].电子工艺技术,2023(1):14-17. |
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作者姓名: | 张奇 武艳青 刘浩 商庆杰 宋洁晶 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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摘 要: | 掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点。台面(Mesa)制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺,采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面,3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大。而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术,制备出的台面表面光滑、侧壁连续,腐蚀深度差异为6%,最终器件输出功率水平的差异仅为2%。利用该掩埋结技术制备的1 550 nm大功率激光器均匀性有了较大提升,900μm腔长单管的阈值电流约12 mA,300 mA工作电流时功率输出100 mW。
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关 键 词: | Mesa 掩埋结 干法刻蚀 均匀性 |
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