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快速热退火硅中微缺陷分析
作者姓名:徐立  钱佩信  李志坚
作者单位:北京大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所 北京 100871,北京 100084,北京 100084
摘    要:本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。

关 键 词:硅 退火 缺陷 分析
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