基于N-2-氰乙基吡咯/3,4-乙烯二氧噻吩的电致变色共聚物的制备及性能

以N-2-氰乙基吡咯（CNPy）和3,4-乙烯二氧噻吩（EDOT）为原料,通过电化学氧化聚合法制备导电聚合物P(CNPy-co-EDOT)膜,采用FTIR、SEM、电化学工作站、UV-Vis等对P(CNPy-co-EDOT)膜的结构组成、微观形貌、电化学行为以及光学吸收性能等进行表征,利用光谱电化学方法,探究n(CNPy)∶n(EDOT)对制备的P(CNPy-co-EDOT)膜的电致变色转换和开路稳定性等性能的影响。结果表明,共聚单体EDOT的引入能够显著提高单体CNPy的电聚合成膜能力,形成具有电化学氧化还原活性和光学吸收特性的P(CNPy-co-EDOT)膜;P(CNPy-co-EDOT)膜具有较低的禁带宽度（1.70~2.32 eV）和利于电解质离子传输的多孔状颗粒堆积结构;n(CNPy)∶n(EDOT)＝3∶7制备的P(CNPy3-co-EDOT7)膜具有显著的多色电致变色特性,在不同电压下,呈现出黄褐色（-0.8 V）、草绿色（0.4 V）到蓝色（1.0 V）的丰富颜色变化;P(CNPy3-co-EDOT7)膜的光学对比度为35.7%,响应时间为0.76 s,着色效率为219.6 cm2/C;P(CNPy3-co-EDOT7)膜在氧化态和还原态的透过率几乎没有变化,能维持原来的色泽,不会出现显著的褪色现象,显示出优异的光存储性能。